解説［ＬＳＩ製造］〜日本の次世代露光戦略　光とＥＢの両面で勝負
日経マイクロデバイス　第193号　2001.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第193号（2001.7.1）
ページ数	5ページ　（全4740字）
形式	PDFファイル形式　（105kb）
雑誌掲載位置	105〜109ページ目

露光微細化戦略「日本は光と電子ビーム（ＥＢ）の両方を開発し続けるべきだ」。次世代プロセスの根幹であるポストＦ２エキシマ・レーザー露光技術の開発に関して，このような指摘が国内の露光技術関係者の間で増えてきた。多くの海外メーカーは，ＥＢ露光技術の開発を事実上中止し，光を使ったＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光技術の開発にリソースを集約している。これとは対照的だが，二つの選択肢を持つこ…