産業ウオッチャ〜「２００１　ＩＩＴＣ」　ｌｏｗ−ｋ材料選びは　再び混沌の様相
日経マイクロデバイス　第193号　2001.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第193号（2001.7.1）
ページ数	1ページ　（全556字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	25ページ目

米国低誘電率膜学会　「低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜の選択をめぐる議論が再び混沌としてきた」（複数の配線技術者）。このような指摘が６月に米国で開かれた「２００１　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（２００１　ＩＩＴＣ）」に多く出た。２０００年４月に米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．がスピン塗布で形成するｌｏｗ−ｋ膜「ＳｉＬＫ」を０．１３μｍプロセス…