ブレークスルー〜デバイス性能直結のプロセスを開発
日経マイクロデバイス 第193号 2001.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第193号（2001.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1392字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （40kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
０．１μｍ以降のプロセスに必要な配線技術をＮＥＣラボラトリーズが開発した。多田氏のグループは製造装置を含めて自ら粘り強く問題点を克服し，要素技術を統合して３層配線を試作，その性能を実証した。ＮＥＣラボラトリーズシリコンデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所シリコンデバイスＴＧ多田 宗弘 氏１９７４年生まれ，２６才。１９９９年慶応義塾大学大学院理工学研究科物資科学専攻修士課程修了。同年ＮＥＣ…
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