μレポート［ＬＳＩ製造］〜０．１３μｍ以降に向け 評価技術の進化が見えた 「ＩＣＭＴＳ ２００１」
日経マイクロデバイス 第191号 2001.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第191号（2001.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1846字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 148ページ目 |
ＬＳＩテスト信頼性露光技術微細化に合わせて評価技術が大きく前進した。２００１年３月２０日〜２２日に神戸で開かれたＴＥＧ（ｔｅｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ ｇｒｏｕｐ）に関する国際会議「ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｅｓｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ （ＩＣＭＴＳ ２００１）」にこの姿が見えた。０．１３μｍトランジスタの信頼性や，０．１８μｍ以…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全1846字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
μレポート［ＬＳＩ設計］〜ＬＳＩ設計分野における 日本発のデファクトへ 勝負手を放つ国内ＩＤＭ
μレポート［ＬＳＩ製造］［ＬＳＩ設計］〜ＤＲＡＭやＲＦ ＣＭＯＳが 活況を呈する 「ＶＬＳＩシンポジウム」
新製品ファイル〜新製品ファイル
連載［産業競争力］〜ターゲットとする 応用機器を設定
連載［マニュファクチャリング］〜装置状態のチェック技術で システムＬＳＩを確実に作る
