μレポート［ＬＳＩ製造］［ＬＳＩ設計］〜ＤＲＡＭやＲＦ ＣＭＯＳが 活況を呈する 「ＶＬＳＩシンポジウム」
日経マイクロデバイス 第191号 2001.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第191号（2001.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全4259字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （45kb） |
| 雑誌掲載位置 | 146〜147ページ目 |
ＤＲＡＭ高周波ゲート絶縁膜２００１年６月１２日〜１６日に京都で開かれる「２００１ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」と「２００１ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」では，ＤＲＡＭやＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ） ＣＭＯＳ関連の発表が活況である。いずれもアジア勢の発表が急増し，存在感を見せ付けることになる。これまでのように製造技術で健闘するだけでは…
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