特集 Ｐａｒｔ３〜新材料の量産典型例 ＦｅＲＡＭラインを見る
日経マイクロデバイス 第190号 2001.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第190号（2001.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3607字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （111kb） |
| 雑誌掲載位置 | 80〜83ページ目 |
強誘電体メモリー ＣＶＤ エッチング新材料を使ったメモリーＬＳＩ量産の典型的な例を，富士通の岩手工場に見ることができる。同工場では，強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）を量産している。このラインに導入した新材料に起因する汚染への対策や独自製造装置の導入は，新材料を使う量産の進むべき方向性を示す。岩手工場の現状の量産規模は１５０ｍｍウエーハで７５００枚／月であり，需要に応じて１万７５００枚／月まで拡張でき…
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