特集　Ｐａｒｔ２〜メガ・ビットＦｅＲＡＭやｈｉｇｈ−ｋ膜が　注目を集めた「ＩＳＩＦ　２００１」
日経マイクロデバイス　第190号　2001.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第190号（2001.4.1）
ページ数	1ページ　（全1273字）
形式	PDFファイル形式　（136kb）
雑誌掲載位置	79ページ目

　メガ・ビット級に代表される大容量の強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の実用化と，一層の高集積化に向けた動きが進展してきた。加えて，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２をはじめとする高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート膜の開発が活発化している。このような技術開発の方向性が，３月１１日〜１４日に米国コロラドで開かれた強誘電体膜のＬＳＩ応用などに関する国際会議「１３ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｉｎ…