論文［ＬＳＩ設計］〜高集積化の限界を打破する　６Ｆ２セルのＤＲＡＭ技術を開発
日経マイクロデバイス　第189号　2001.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第189号（2001.3.1）
ページ数	7ページ　（全6931字）
形式	PDFファイル形式　（172kb）
雑誌掲載位置	141〜147ページ目

ＬＳＩデバイスメモリーＤＲＡＭＤＲＡＭの高集積化の限界を打破する６Ｆ２セル技術をエルピーダメモリと日立製作所が共同開発した。今後，ＤＲＡＭの高集積化を進めるためには，微細化だけでは不十分で新しいセル技術の開発が急務になっている。これまで提案されてきた６Ｆ２セル技術は，雑音問題を克服しようとするとプロセスが複雑化する課題を抱えていた。今回開発した開放ビット線方式の６Ｆ２セルは，この問題を克服している…