特集第２部 Ｐａｒｔ２〜ＤＲＡＭリスクを回避し 生産能力と技術力を強化
日経マイクロデバイス 第187号 2001.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第187号（2001.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全838字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （197kb） |
| 雑誌掲載位置 | 87ページ目 |
●台湾Ｎａｎｙａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．Ｃｈａｒｌｅｓ Ｋａｕ 氏Ｅｘｅｃｕｔｉｖｅ Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ＆ Ｓｐｏｋｅｓｍａｎ われわれはＬＳＩ事業を成功させるために，２００１年に次の三つに力を入れていく。第１に継続的な生産能力の拡大，第２に堅実な技術開発の推進，第３にＤＲＡＭ事業のリスク回避である。この三つによって２００１年の売上高は，対前年比約１７０％…
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