ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＣＤ〜セイコーエプソンが 低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ液晶の 試作ラインを敷設
日経マイクロデバイス 第174号 1999.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第174号（1999.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全235字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （372kb） |
| 雑誌掲載位置 | 190ページ目 |
設備投資低温多結晶 Ｓｉ−ＴＦＴ セイコーエプソンは，低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ液晶パネルの試作ラインを敷設する。試作ラインのガラス基板寸法は４００×５００ｍｍ２，生産能力は３０００シート／月である。この試作ラインを含む液晶とＬＳＩのための新研究・開発拠点の建設を，１９９９年１０月に開始した。新拠点は同社の富士見事業所内にあり，２０００年９月に竣工する予定。投資額は合計３００億円。低温多結晶Ｓｉ−ＴＦ…
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