ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜０．１μｍルール以降を 見すえたＬＳＩ製造技術の 共同開発が相次ぐ
日経マイクロデバイス 第174号 1999.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第174号（1999.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全728字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （386kb） |
| 雑誌掲載位置 | 186ページ目 |
０．１μｍルール以降を見すえたＬＳＩ製造技術の共同開発が活発になってきた。海外では，露光技術とＣＶＤ技術のそれぞれについて提携の発表があった。露光技術に関し，複数のＬＳＩ大手と製造装置大手が０．１μｍ以降の候補技術である電子ビーム（ＥＢ）露光技術「ＳＣＡＬＰＥＬ」を共同で開発することに合意した。ＳＣＡＬＰＥＬの開発を加速し，早期に量産技術として確立する狙いである。合意したのは，米Ａｐｐｌｉｅｄ …
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