特集 Ｐａｒｔ．４〜米ＩＢＭの新技術を生み出したＳＲＤＣ ０．１μｍに向けた研究・開発も着々
日経マイクロデバイス 第174号 1999.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第174号（1999.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1353字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （179kb） |
| 雑誌掲載位置 | 124ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ＣｅｎｔｅｒＩＢＭ ＦｅｌｌｏｗＲｕｓｓｅｌｌ Ｃ． Ｌａｎｇｅ氏 Ｃｕ配線，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術，ＳｉＧｅバイポーラ。世界に先駆けてこうした技術を世の中に送り出した原動力が，われわれが１９９０年に設立した基礎研究から少量量産まで一貫して担当するＬＳＩ研究・開発拠点Ｓ…
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