ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜エピ・ウエーハを 性能と価格で凌ぐ Ｈ２処理ウエーハが登場
日経マイクロデバイス 第171号 1999.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第171号（1999.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全429字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （50kb） |
| 雑誌掲載位置 | 147ページ目 |
ウエーハ部品・材料トランジスタ 性能と価格の両面でエピタキシャルＳｉウエーハを凌駕するＨ２処理Ｓｉウエーハ「Ｈｙｐｅｒ Ｈｉ−ＷＡＦＥＲ」を東芝セラミックスがこの８月に発売した。性能は，表面の平坦度と無欠陥層の厚さでいずれもエピ・ウエーハを上回る。無欠陥層の厚さは，同社従来品の０．４μｍから今回は５μｍと厚くできた。これを実現するために単結晶Ｓｉの引き上げ技術を改良した。ウエーハをＨ２雰囲気中でア…
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