ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜東芝のメモリー戦略 ＮＡＮＤ型フラッシュを増産 ＤＲＡＭはシェア１０％を確保
日経マイクロデバイス 第171号 1999.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第171号（1999.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全593字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （36kb） |
| 雑誌掲載位置 | 144ページ目 |
ＬＳＩビジネスフラッシュ・メモリー民生機器 東芝がフラッシュ・メモリーとＤＲＡＭの今後の生産計画を明らかにした。フラッシュ・メモリーでは２００１年末にＮＡＮＤ型で世界シェアの５０％を狙う。このために今年から２００１年にかけてＮＡＮＤ型フラッシュを増産する。同社のＮＡＮＤ型フラッシュの生産量は現在，１２８Ｍビット品と２５６Ｍビット品を合わせて数万個／月だが，１９９９年１２月には１６Ｍ品を１５万個／月…
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