ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜次世代露光技術向けの レンズ評価手法を 東工大が考案
日経マイクロデバイス 第164号 1999.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第164号（1999.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全382字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （35kb） |
| 雑誌掲載位置 | 135ページ目 |
ＡｒＦエキシマ・レーザー露光技術のレンズに必要なＣａＦ２（蛍石）の耐久性を事前に評価できる手法を東京工業大学助教授の細野秀雄氏のグループが考案した。ＡｒＦ露光技術のレンズ材料には，現在主流のＫｒＦ露光技術に使われている合成石英に加え，新材料であるＣａＦ２を使う必要がある。今回東工大は，半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）からの委託を受け，ＣａＦ２の光損傷メカニズムを解析した。この結果，（１）…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全382字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜東芝がチップ面積約６０ｍｍ２の １２８Ｍ ＤＲＡＭを １９９９年末から量産
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「１９９９年末の 汎用ＤＲＡＭ撤退」報道を 富士通が否定
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓに 三菱電機が １６Ｍフラッシュを供給
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜半導体製造装置の 市場予測を ＳＥＡＪが発表
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜東芝の０．１８μｍプロセスで 米Ａｖａｎｔ！のライブラリを 使用可能にした台湾ＷＳＭＣ
