特集 モータ効率競争,再燃前夜〜SiCで素子を作る
日経ものづくり 第554号 2000.11.1
掲載誌 | 日経ものづくり 第554号(2000.11.1) |
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ページ数 | 3ページ (全2656字) |
形式 | PDFファイル形式 (65kb) |
雑誌掲載位置 | 47〜49ページ目 |
第三の敵は回路損。中でも大きいのはスイッチング素子のオン抵抗だ。シリコンの物性値から決まる限界があり,それを超えては下がらない。ではシリコン以外のものを使ってはどうだろうか。浮上したのがシリコンの炭化物であるSiC。日本でも研究が始まった。 日立製作所,三菱電機,三洋電機,東芝,沖電気−。日ごろ半導体の世界で競争する“仇どうし”の企業から,研究者たちがつくばの電子技術総合研究所に集合した。仲良く共…
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