特集 情報狂時代を「製造」する〜ウエハをはがしてリサイクル
日経ものづくり 第544号 2000.1.1
掲載誌 | 日経ものづくり 第544号(2000.1.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2174字) |
形式 | PDFファイル形式 (337kb) |
雑誌掲載位置 | 46〜47ページ目 |
デバイスの処理速度を大幅に向上し,かつ省電力化できるとして注目されている次世代半導体ウエハ。それが,SOI(シリコン・オン・インシュレータ)ウエハだ。土台となるシリコン基板の上に絶縁層(一般に酸化シリコン膜)を形成し,さらにその上に薄いシリコン層(SOI層)を形成する。その製法として開発されているのは現在,2枚のウエハを貼り合わせる方式と,イオン注入方式の二つに大別される。 キヤノンは,貼り合わ…
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