Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜フラッシュＥＥＰＲＯＭ 多値化で４Ｇビットの容量を実現
日経エレクトロニクス 第872号 2004.4.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第872号（2004.4.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全251字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （50kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
東芝は，最小加工寸法９０ｎｍの半導体製造技術と２ビット／セルの多値技術を組み合わせた４ＧビットのＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＴＣ５８ＮＶＧ２Ｄ４ＢＦＴ００」を発売する。ページ・サイズの拡大やメモリ・セル制御機能の最適化により，同社従来の多値製品に比べて書き込み速度を約８倍に高めた。今回の４Ｇビット品をパッケージ内で積層させた８Ｇビット品も製品化する。ＴＥＬ（０３）３４５７−３４２０サンプル価…
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