キーワード〜ｈｉｇｈ−ｋ［ ｈｉｇｈ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ ］
日経エレクトロニクス 第956号 2007.7.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第956号（2007.7.16） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1205字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （263kb） |
| 雑誌掲載位置 | 47ページ目 |
ｈｉｇｈ−ｋはＬＳＩの基本素子であるＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の素材を高誘電率材料に置き換える技術の総称。ｋは材料の誘電率を表わす変数記号である。従来のＳｉＯ２系材料をＨｆ酸化物などに換える。２００７年１月に米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．，米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．がそれぞれ４５ｎｍ世代で採用すると発表した。この技術が注目を集める理由は大きく二つある。第１に，過去４０年以上続いてきた「Ｓｉ基板とＳｉＯ…
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